線圈-導(dǎo)體系統(tǒng)產(chǎn)生的電渦流密度既是線圈與導(dǎo)體間距離x的函數(shù)，又是沿線圈半徑方向r的函數(shù)。當(dāng)x一定時，電渦流密度J與半徑r的關(guān)系曲線如圖9-22。由圖（圖中J0為金屬導(dǎo)體表面電渦流密度，即電渦流密度最大值；J_x為半徑r處的金屬導(dǎo)體表面電渦流密度）可知：a.電渦流徑向形成的范圍大約在傳感器線圈外徑r_as的1.8~2.5倍范圍內(nèi)，且分布不均；b.電渦流密度在短路半徑r=0處為零；c.電渦流的最大值在r=r_as附近的一個狹窄區(qū)域內(nèi)；d.可以用一個平均半徑為r_as（r_as=（r_i+r_a）/2）的短路環(huán)來集中表示分散的電渦流（圖中陰影部分）

2. 電渦流強(qiáng)度與距離的關(guān)系

  理論分析和實(shí)驗(yàn)都已證明，當(dāng)x改變時，電渦流密度發(fā)生變化，即電渦流強(qiáng)度隨距離x的變化而變化。根據(jù)線圈-導(dǎo)體系統(tǒng)的電磁作用，可以得到金屬導(dǎo)體表面的電渦流強(qiáng)度為（如圖）

  根據(jù)9-43做出的歸一化曲線如圖9-23所示。

  以上分析表明：a.電渦流強(qiáng)度與距離呈非線性關(guān)系，且隨著x/r_as的增強(qiáng)而迅速減小；b.當(dāng)利用電渦流式傳感器測量位移時，只有在x/r_as<<1（一般取0.05~0.15）的范圍才能得到較好的線性和較高的靈敏度。

3. 電渦流的軸向貫穿深度

  由于趨膚效應(yīng)，電渦流沿金屬導(dǎo)體縱向的H₁分布式不勻均的，其分布按指數(shù)規(guī)律衰減，可用下圖中式子表示：

圖9-24所示電渦流密度軸向分布曲線。由圖可見，電渦流密度主要分布在表面附近。

由前面分析可知，被測體電阻率越大，相對磁導(dǎo)率越大，傳感器線圈的激磁電流頻率低，則電渦流貫穿深度h越大。